د CVD SiC پوښل شوی ګرافایټ شاور هیډ

د CVD SiC پوښل شوی ګرافایټ شاور هیډ د ګازو د ویش یوه برخه ده چې د سیمیکمډکټر ایپیټیکسي او پرمختللي ویفر پروسس کې کارول کیږي. دا د لوړ پاکوالي ګرافایټ کور سره پیل کیږي، بیا د CVD سیلیکون کاربایډ غلیظ پوښ ترلاسه کوي. د شاور هیډ دنده ساده مګر مهمه ده: ګاز په مساوي ډول د ویفر سطحې ته رسوي، پداسې حال کې چې د لوړې تودوخې او تیریدونکي کیمیاوي موادو لاندې ساتل کیږي.

د غبرګون خونې دننه، دا د دقیق ګاز خپریدوونکي په څیر کار کوي. د پروسس ګازونه د داخلي چینلونو او د کوچنیو وتلو سوریو نمونې له لارې جریان لري، نو ګاز په مساوي ډول د ویفر په اوږدو کې خپریږي. دا یووالي په مستقیم ډول د فلم ضخامت، د کرسټال کیفیت، او ستاسو پروسه څومره تکرار کیدونکې ده اغیزه کوي.

سیمیکسلاب د مختلفو غوښتنلیکونو لپاره دودیز CVD SiC پوښل شوي شاور هیډونه جوړوي - SiC ایپیټیکسي، GaN ایپیټیکسي، MOCVD سیسټمونه، CVD ری ایکټرونه، او نور د لوړ تودوخې زیرمه کولو پروسې.

کلیدي ځانګړتیاوې

● د ګازو د جریان ښه یوشانوالی - د سوري نمونه او داخلي چینلونه په سمه توګه ماشین شوي، نو د ګاز ویش ثابت پاتې کیږي او حتی په ټوله پروسه ساحه کې. دا د فلم ثبات او ویفر حاصلاتو ښه کولو کې مرسته کوي.

● د لوړ پاکوالي CVD SiC پوښ - د ګڼ SiC طبقه د زنګ وهلو پروسې ګازونو سره ښه مقاومت کوي، چې پدې معنی ده چې د تولید پرمهال لږ ذرات او د ککړتیا خطر کم دی.

● جامد حرارتي ثبات - ګریفایټ ښه حرارتي چالکتیا ورکوي، او د SiC پوښښ محافظت زیاتوي. دوی یوځای د شاور سر سره مرسته کوي چې د لوړې تودوخې شرایطو لاندې خپل شکل وساتي.

● د اوږد خدمت ژوند - د ساده ګرافایټ برخو په پرتله، د CVD SiC پوښل شوی نسخه خورا ډیر د اغوستلو مقاومت لري او په کیمیاوي لحاظ دوامدار دی. تاسو لږ ساتنه او د ځای په ځای کولو ټیټ لګښتونه ترلاسه کوئ.

● دودیز انجینري - موږ کولی شو ابعاد، د ګازو د سوري نمونې، داخلي چینلونه، د نصب کولو جوړښتونه بدل کړو - په اصل کې د شاور سر د مختلفو ری ایکټر ډیزاینونو سره سم تنظیم کړو.

د تولید وړتیاوې

سیمیکسلاب ډیری کارونه په کور دننه ترسره کوي:

● دقیق ګرافایټ ماشین کول

● د CVD SiC کوټینګ زیرمه کول

● د ګازو د چینل پیچلي ماشین کول

● د سخت بعدي زغم کنټرول

● د سطحې بشپړول او تفتیش

● د ډیزاین دودیز اصلاح کول

زموږ د انجینرۍ ټیم د پیرودونکو سره نږدې کار کوي ترڅو د شاور هیډونه رامینځته کړي - که د نوي تجهیزاتو ډیزاینونو لپاره وي یا د بدیل پرزو په توګه.

ولې سیمیکسلاب غوره کړئ؟

● د نیمه نیمه ګرافیت او SiC پوښل شوي اجزاو سره اوږده تجربه

● لوړ پاکوالي خام مواد

● د کور دننه CVD SiC کوټینګ ټیکنالوژي

● د انعطاف وړ دودیز تولید

● د کیفیت سخت کنټرول

● د پروټوټایپونو او تولید امرونو لپاره چټک غبرګون

موږ موخه لرو چې د باور وړ CVD SiC پوښل شوي ګرافایټ اجزا چمتو کړو چې د سیمیکمډکټر جوړونکو سره د پروسې فعالیت ښه کولو، د ککړتیا خطرونو کمولو، او د اوږدې مودې لپاره په باوري ډول کار کولو کې مرسته وکړي.

د SiC اپیتیکسي - په SiC اپیتیکسیل ریکټورونو کې کارول کیږي ترڅو مخکیني ګازونه په مساوي ډول د ویفر په اوږدو کې خپاره کړي، کوم چې د طبقې یووالي ښه کولو او نیمګړتیاو کمولو کې مرسته کوي.

GaN epitaxy - د LEDs، بریښنا الکترونیکونو، او RF وسیلو لپاره د MOCVD تجهیزاتو سره کار کوي.

د سیمیکمډکټر CVD پروسې - د زیرمو سیسټمونو کې عام دي چیرې چې د ګاز دقیق تحویل او د ککړتیا کنټرول واقعیا مهم دی.

د مرکب نیمه سیمیکمډکټر پرمختللی تولید - د لوړ تودوخې کرسټال ودې او پتلی فلم زیرمه کولو مختلف پروسو سره سمون لري.

د CVD SiC کوټینګ تخنیکي ګټې

د CVD SiC کوټینګ د ګرافایټ په سر یو ډیر خالص، ډیر کثافت لرونکی محافظتي طبقه جوړوي. تاسو د ګرافایټ ماشین کولو وړتیا او حرارتي فعالیت ترلاسه کوئ، او همدارنګه د سیلیکون کاربایډ کیمیاوي مقاومت.

مهمې ګټې:

● د ذراتو کم تولید

● لوړ corrosion مقاومت

● ښه حرارتي شاک مقاومت

● د فلزاتو ککړتیا کمه ده

● ډیر باثباته پروسه

● د اجزاو اوږد ژوند

دا ګټې د CVD SiC پوښل شوي شاور هیډونه د پرمختللي سیمیکمډکټر تولید لپاره یو قوي انتخاب ګرځوي، چیرې چې د پروسې دوام او پاکوالی اړین دی.