د لوړ پاکوالي SiC ویفر کښتۍ

د سیمیکمډکټر تولید په برخه کې، د لوړې تودوخې پروسې د ویفر کیریرانو لپاره خورا ننګونې رامینځته کوي. کله چې تودوخه د 1600 ℃ څخه زیاته شي، دودیز کوارټز کیریر (د ویفر کارول شوي کوارټز کښتۍ) نرم او خرابیدل پیل کوي او ککړونکي خوشې کوي، چې د ویفر سکریپ کچه لوړیږي.

د لوړ پاکوالي SiC ویفر کښتۍ، د سیلیکون کاربایډ (SiC) د ذاتي مادي ګټو سره، په بشپړه توګه د دې صنعت درد ټکی حل کوي او د پرمختللي سیمیکمډکټر تولید لپاره یو اړین وسیله ګرځي، په ځانګړې توګه د SiC بریښنا وسیلو تولید.

د محصول اصلي فزیکي ځانګړتیاوې او تخنیکي پیرامیټرې:

د سیلیکون کاربایډ ویفر کیریر (SiC ویفر کیریر) غوره فعالیت د هغې د ځانګړي مادي ساینس ملکیتونو څخه رامینځته شوی. لاندې د کلیدي فزیکي پیرامیټرو مفصل پرتله کول دي:

دا پیرامیټرونه په مستقیم ډول د سیمیکمډکټر تولید کې د ښه حاصلاتو او کمښت لګښتونو ته ژباړل کیږي، لکه څنګه چې په لاندې ډول ښودل شوي:

د تودوخې فعالیت ګټه: د SiC پراخه بینډ ګیپ (3.26 eV) ډاډ ورکوي چې دا په 2000 درجو سانتي ګراد کې یو مستحکم کرسټال جوړښت ساتي او د تودوخې خرابوالي مخه نیسي. لوړ حرارتي چالکتیا (4.9 W/cm·K) ویفر ته اجازه ورکوي چې په مساوي ډول تودوخه شي او د تودوخې فشار له امله رامینځته شوي جالی نیمګړتیاوې له منځه یوسي.

میخانیکي ځواک: 9.2 Mohs سختۍ د پروسې په جریان کې د فزیکي اغیزو په وړاندې مقاومت کوي، او د خدماتو ژوند د دودیز کوارټز کیریرونو په پرتله 10 ځله ډیر دی. د ځانګړي نیمه سرکلر سلاټ ډیزاین د 5MPa څخه ښکته د ویفر تماس فشار کنټرولوي، په اصل کې د لوړ تودوخې سلیپ پدیده له منځه وړي.

کیمیاوي غیر فعالتیا: د HF او HCl په څیر د ډیرو زنګ وهونکو ګازونو زغم له 10,000 ساعتونو څخه ډیر وي، او په LPCVD، خپریدو، اکسیډیشن او نورو پروسو کې صفر ککړتیا ساتل کیږي.

د لوړ پاکوالي SiC ویفر کښتۍ کلیدي رول

زموږ د لوړ پاکوالي SiC ویفر کښتۍ په پراخه کچه په لاندې کلیدي سیمیکمډکټر تولید پروسو کې کارول کیږي:

د لوړې تودوخې انیل کول: د sic ویفر جوړونکي د تولید په لیکه کې، د لوړ تودوخې انیل کول د ډوپینټونو فعالولو او د جالیو نیمګړتیاو ترمیم لپاره یو مهم ګام دی. د SiC ویفر کښتۍ د لوړې تودوخې ثبات د انیل کولو پروسې یووالي او اغیزمنتوب تضمینوي.

د اپیتیکسیل وده: که دا د سیلیکون پر بنسټ ایپیتیکسي وي یا د سیلیکون کاربایډ ویفر ایپیتیکسي، د SiC ویفر کښتۍ د تودوخې لوړ مقاومت او د زنګ وهلو مقاومت دا د لوړ کیفیت ایپیتیکسیل طبقې ودې ډاډمن کولو لپاره یو مثالی کیریر جوړوي.

خپریدل: د لوړ تودوخې خپریدو فرنس کې، د LPCVD ویفر کښتۍ کې د SiC ویفر کښتۍ کولی شي د اوږدې مودې لوړ تودوخې درملنې سره مقاومت وکړي ترڅو د ډوپینګ اتومونو یونیفورم خپریدو ډاډمن کړي او دقیق بریښنایی ملکیتونه جوړ کړي.

د پتلي فلم زیرمه کول: په ځانګړي توګه د Lpcvd ویفر کښتۍ غوښتنلیکونو لپاره، د SiC ویفر کښتیو خورا ټیټ ذراتو شیډنګ او غوره حرارتي چالکتیا د لوړ کیفیت، لوړ یونیفورم فلمونو ترلاسه کولو کې مرسته کوي.

مطابقت لرونکي تجهیزات او د پروسې مطابقت:

✔ د LPCVD د عامو فرنسونو سره مطابقت لري (لکه TEL، Kokusai، ASM، SVG، Tystar، او نور)

✔ د ویفر د تنظیم وړ ځانګړتیاوې لکه ۱۰۰ ملي میتر/۱۵۰ ملي میتر/۲۰۰ ملي میتر

✔ د افقي او عمودي پروسې تجهیزاتو نصبولو ملاتړ کوي

د سیمیکسلاب د SiC ویفر کښتۍ ستاسو د پروسې موثریت او د محصول حاصلاتو ښه کولو لپاره یو غوره انتخاب دی، او د پرمختللي سیمیکمډکټر ویفر کښتۍ حلونو کې مخکښ دی.

د سیمیکسلاب محصولاتو دوکانونه